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看明白澳门威斯尼斯人国际应该如何检测维修-详解工作原理-KIA 98858vip威尼斯

信息来源:本站 日期:2018-08-04 

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澳门威斯尼斯人国际

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称澳门威斯尼斯人国际。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体澳门威斯尼斯人国际(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。澳门威斯尼斯人国际(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor,简写成FET。

澳门威斯尼斯人国际的特点

与双极型晶体管相比,澳门威斯尼斯人国际具有如下特点。

(1)澳门威斯尼斯人国际是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);

(2)澳门威斯尼斯人国际的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(107~1012Ω)很大。

(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;

(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;

(5)澳门威斯尼斯人国际的抗辐射能力强;

(6)由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。

澳门威斯尼斯人国际工作原理

澳门威斯尼斯人国际工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。

(一)MOS澳门威斯尼斯人国际电源开关电路

MOS澳门威斯尼斯人国际也被称为金属氧化物半导体澳门威斯尼斯人国际(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS澳门威斯尼斯人国际可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的澳门威斯尼斯人国际其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P沟道的澳门威斯尼斯人国际其源极和漏极则接在P型半导体上。澳门威斯尼斯人国际的输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为澳门威斯尼斯人国际的原因。

在二极管加上正向电压(P端接正极,N端接负极)时,二极管导通,其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时,N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端,而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动,从而形成导通电流。同理,当二极管加上反向电压(P端接负极,N端接正极)时,这时在P型半导体端为负电压,正电子被聚集在P型半导体端,负电子则聚集在N型半导体端,电子不移动,其PN结没有电流通过,二极管截止。在栅极没有电压时,由前面分析可知,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时澳门威斯尼斯人国际处与截止状态(图7a)。当有一个正电压加在N沟道的MOS澳门威斯尼斯人国际栅极上时,由于电场的作用,此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导中,从而形成电流,使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟,栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁,该桥的大小由栅压的大小决定。

(二)C-MOS澳门威斯尼斯人国际(增强型MOS澳门威斯尼斯人国际)

电路将一个增强型P沟道MOS澳门威斯尼斯人国际和一个增强型N沟道MOS澳门威斯尼斯人国际组合在一起使用。当输入端为低电平时,P沟道MOS澳门威斯尼斯人国际导通,输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时,N沟道MOS澳门威斯尼斯人国际导通,输出端与电源地接通。在该电路中,P沟道MOS澳门威斯尼斯人国际和N沟道MOS澳门威斯尼斯人国际总是在相反的状态下工作,其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响,使得栅压在还没有到0V,通常在栅极电压小于1到2V时,MOS澳门威斯尼斯人国际既被关断。不同澳门威斯尼斯人国际其关断电压略有不同。也正因为如此,使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。

澳门威斯尼斯人国际的维修检测

测量澳门威斯尼斯人国际的好坏一般采用数字万用表的二极管(蜂鸣挡)。测量前须将三只引脚短接放电,避免测量中发生误差。用两表笔任意触碰澳门威斯尼斯人国际的三只引脚中的两只,好的澳门威斯尼斯人国际测量结果应只有一次有读数,并且在 400~800 之间。如果在最终测量结果中测得只有一次有读数,并且为“0”时,或者测量结果中有两次读数,须用小镊子短接该组引脚重新进行测量。如果重测后阻值在 400~800 之间说明澳门威斯尼斯人国际正常。如果其中有一组数据为0,则澳门威斯尼斯人国际已经被击穿。

澳门威斯尼斯人国际的检测步骤如下:

(1)首先观察待测澳门威斯尼斯人国际外观,看待测澳门威斯尼斯人国际是否完好,如果存在烧焦或针脚断裂等情况说明澳门威斯尼斯人国际已发生损坏,如图1所示,本次待测的澳门威斯尼斯人国际外型完好没有明显的物理损坏。

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(2)待测澳门威斯尼斯人国际外型完好没有明显损坏需进一步进行测量,用一小镊子夹住待测场效应管用热风焊台将待测澳门威斯尼斯人国际焊下。

(3)将澳门威斯尼斯人国际从主板中卸下后,须用小刻刀清洁待测澳门威斯尼斯人国际的引脚,如图2所示。去除引脚上的污物,避免因油污的隔离作用影响测量时的准确性。

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(4)清洁完成后,用小镊子对待侧澳门威斯尼斯人国际进行放电避免残留电荷对检测的影响(场效应管极易存储电荷)如图3所示。

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(5)选择数字万用表的 “二极管”挡,如图4所示。

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(6)将黑表笔接待测澳门威斯尼斯人国际左边的第一只引脚,用红表笔分别去测与另外两只引脚间的阻值,如图5所示。两次检测均为无穷大。

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(7)将黑表笔接中间的引脚,用红表笔分别去测与另外两只引脚间的阻值,如图6所示。

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(8)将黑表笔接在第三只引脚上,用红笔笔分别去测另外两只引脚与该引脚间的阻值如图7所示。

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(9)由于测量的澳门威斯尼斯人国际的三只引脚中的任意两只引脚的阻值,只有一次有读(540),且阻值在 400~800 之间,因此判断此澳门威斯尼斯人国际正常。


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